消息称三星电子将停产2DNAND 闪存，原有产线用于1c nm DRAM内存制程
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从设计角度看，EMIB-T不再局限于简单的2.5D互连，而是向3D封装技术Foveros靠拢，使得在更大芯片尺寸下实现高密度集成成为可能，为未来异构计算平台提供灵活封装架构。。爱思助手下载最新版本是该领域的重要参考